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Post-doctorat: Si spin qubits (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : jeudi 5 août 2021

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Informations générales

Référence : UPR2940-FLOPOI-057
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : jeudi 15 juillet 2021
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 1 septembre 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 2648 € et 3768 € brut mensuel
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : Indifférent

Missions

En nanoélectronique quantique, l'un des objectifs majeurs est l'utilisation de la mécanique quantique pour le développement de nanoprocesseurs de plus en plus performants. Cela nécessite la capacité de contrôler les phénomènes quantiques à l'échelle de l'électron unique au sein des nanostructures. Dans ce contexte, le degré de liberté du spin électronique a été identifié comme un candidat potentiel pour le support de l'information quantique. On peut définir le bloc élémentaire du nanoprocesseur en capturant un seul électron (et donc son spin) à l'intérieur d'une boîte quantique. Le développement d'un circuit quantique suivra les mêmes méthodes de conception de circuits microélectroniques, en connectant les briques élémentaires, tout en respectant les contraintes de contrôle des spins individuels. De nos jours, dans les systèmes de boîtes quantiques, toutes les opérations élémentaires nécessaires au fonctionnement d'un processeur quantique ont été démontrées dans des spins piégés dans des hétérostructures de type AsGa. L'effort de la communauté des qubits de spin se tourne vers la transposition de ces démonstrations de spins piégés dans des structures en silicium, dont la fabrication est compatible avec les procédés industriels CMOS.

Activités

L'objectif de ce projet est de développer le procédé de post-fabrication et de caractérisation des qubits de spin en silicium à l'aide de structures fabriquées au CEA-Leti. L'intérêt est double : d'une part il permet une caractérisation rapide des structures, d'autre part un moyen d'ajouter rapidement de nouvelles fonctionnalités pour manipuler de manière cohérente les qubits (antenne à résonance de spin électronique, micro-aimants, …) ou pour assister la lecture (ajout de détecteurs locaux et de mémoires).
Le candidat bénéficiera des connaissances approfondies du groupe de l'institut Néel dans la fabrication et la caractérisation électrique avec un accès complet à l'installation de salle blanche (lithographie ebeam, dépôt, gravure) et des ressources offertes par les pôles techniques (électronique, cryogénie).

Compétences

Il est obligatoire d'avoir soutenu une thèse de doctorat dans les sujets suivants : conception/fabrication de la matière condensée, des micro-nanotechnologies ou des dispositifs CMOS. Il est essentiel d'avoir une bonne connaissance des dispositifs semi-conducteurs et une expertise dans les techniques de nanofabrication (lithographie, gravure de dépôt, …) est hautement souhaitable. Un candidat familiarisé avec la caractérisation électrique des composants est un plus. De bonnes compétences en anglais écrit et parlé sont requises, au même titre qu'une bonne communication, la capacité à rédiger des rapports/articles et le travail en équipe.

Contexte de travail

Ce travail fait partie d'un vaste effort de collaboration entre le CEA-INAC, le CEA-LETI et le CNRS-Institut Néel pour développer et pousser la technologie du qubit de spin dans le silicium et étudier son potentiel d'évolutivité. Ainsi, le candidat travaillera en étroite collaboration avec l'équipe de fabrication de dispositifs du LETI pour développer les structures dédiées à son projet. De plus, le candidat bénéficiera de la collaboration avec Spintec sur l'intégration de composants magnétiques dans les dispositifs CMOS.
L'Institut NEEL est l'un des plus grands instituts de recherche nationaux français pour la recherche fondamentale en physique de la matière condensée enrichi d'activités interdisciplinaires aux interfaces avec la chimie, l'ingénierie et la biologie. Il est situé au cœur d'un environnement scientifique, industriel et culturel unique. Il fait partie de l'un des plus grands environnements de haute technologie d'Europe en micro et nanoélectronique, juste à côté des Alpes françaises.

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