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Posdoc Diamant de type n dopé phosphore : épitaxie, propriétés et composants électroniques (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

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Informations générales

Référence : UMR8635-KARBRE-007
Lieu de travail : VERSAILLES
Date de publication : vendredi 26 juin 2020
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 septembre 2020
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : A partir de 2 728 € bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : Indifférent

Missions

Le.la jeune chercheur.e recruté.e intégrera l'équipe DIAM (Diamant pour l'électronique) du Groupe d'Etude de la Matière Condensée à Versailles (GEMaC, http://www.gemac.uvsq.fr). Sa mission consistera à réaliser des composants électroniques « tout diamant », dans le cadre du projet ANR MOVETODIAM, notamment en épitaxiant des films de diamant dopé au phosphore, en étudiant leurs propriétés optiques et en fabricant des dispositifs.

Activités

Le.la candidat.e développera des recherches sur les composants électroniques en diamant pour des applications en l'électronique de puissance. Les composants élémentaires, tels que les diodes Schottky ou n-i-p, seront réalisés par photolitographie sur les films synthétisés (conception de masques, dépôt de résine par spin-coater, etc.) et caractérisés électriquement par mesures en courant-tension (I (V)) et capacitives (C (V)). L'épitaxie des films de diamant de type n par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes (MPCVD) sera optimisée pour les dispositifs ciblés. Pour cela, le.la candidat.e aura l'opportunité d'étudier les propriétés des couches minces épitaxiales en utilisant diverses techniques d'analyse comme la spectroscopie de cathodoluminescence (CL), la microscopie à force atomique (AFM), la spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS)…

Compétences

Avoir soutenu une thèse de doctorat est obligatoire, la spécialité pouvant être en sciences des matériaux ou de la matière condensée, en micro–nanotechnologies ou un domaine équivalent. De bonnes connaissances en physique des semi-conducteurs et des composants électroniques sont indispensables. Une expérience en croissance de matériaux par des techniques telles que l'épitaxie par jets moléculaires ou le dépôt chimique en phase vapeur sera appréciée. Une expérience dans les techniques de caractérisation mentionnées précédemment et/ou une expérience significative des procédés technologiques en salle blanche sont également un plus. Une bonne maîtrise de l'anglais, à l'écrit comme à l'oral, est essentielle, ainsi que la capacité à communiquer, à rédiger des rapports/articles et à travailler en équipe.

Contexte de travail

Les activités du laboratoire GEMaC reposent sur une expertise commune en physique et sciences des matériaux dans les domaines des semiconducteurs à large bande interdite, de l'optique de systèmes nanométriques, des oxydes fonctionnels et des matériaux moléculaires commutables. Un des points forts du GEMaC réside dans l'activité de croissance de matériaux. Le laboratoire GEMaC bénéficie également d'un large parc expérimental qui regroupe de nombreux équipements de microscopie (ex : AFM, MEB), de spectroscopie (ex : Raman, CL), d'analyse physico-chimique (ex : SIMS), de mesures de transport (ex : effet Hall) …
L'équipe DIAM mène des recherches de pointe sur les propriétés physiques et la croissance cristalline du diamant. Elle est reconnue internationalement en raison de plus de 15 ans de recherches scientifiques principalement axées sur la compréhension des effets des défauts/impuretés sur les propriétés optiques/électriques/structurales du diamant. Elle est également l'unique équipe française contrôlant la fabrication de films diamant homoépitaxiés de type n. Les conductivités électroniques du type n obtenues étant à l'état de l'art international, il est temps de développer les composants élémentaires afin de préparer les futures applications de l'électronique de puissance. Le travail proposé ici sera réalisé dans le cadre du projet ANR MOVETODIAM visant à produire un MOSFET à puissance verticale en diamant avec le consortium qui regroupe le LSPM de Villetaneuse, la société IBS à Peynier et le LAAS de Toulouse.

Contraintes et risques

Travail expérimental en salle blanche, manipulation de produits chimiques et de gaz toxiques.

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