En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez le dépôt de cookies dans votre navigateur. (En savoir plus)
Portail > Offres > Offre UMR8520-FRELEF-099 - Ingénieur en modélisation, conception et réalisation de convertisseurs GaN pour l'électronique de puissance H/F

Ingénieur en modélisation, conception et réalisation de convertisseurs GaN pour l'électronique de puissance H/F


Date Limite Candidature : jeudi 21 octobre 2021

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler. Les informations de votre profil complètent celles associées à chaque candidature. Afin d’augmenter votre visibilité sur notre Portail Emploi et ainsi permettre aux recruteurs de consulter votre profil candidat, vous avez la possibilité de déposer votre CV dans notre CVThèque en un clic !

Faites connaître cette offre !

Informations générales

Référence : UMR8520-FRELEF-099
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : jeudi 19 août 2021
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : A partir de 2461 euros bruts mensuels.
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

L'ingénieur sera chargé de modéliser, concevoir et réaliser des convertisseurs GaN. Les deux laboratoires impliqués sont l'Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), équipe PUISSANCE qui travaille sur les composants GaN pour les applications de puissance et le Laboratoire d'Electrotechnique et Electronique de Puissance (L2EP), équipe électronique de puissance qui travaille sur les composants de puissance et les convertisseurs statiques.

Activités

La thématique de recherche proposée a pour objectif de simuler, concevoir et réaliser des convertisseurs de puissance à base de composants GaN fonctionnant à haute fréquence. Cette nouvelle filière de convertisseur permet de diminuer le volume et le poids ce qui est un critère important pour les applications embarquées (automobile, aviation …). L'objectif consiste d'une part à proposer une méthodologie innovante de caractérisation et de modélisation de composants GaN (transistor + diode), cette méthode devant être applicable à des composants en boitier et sur wafer et d'autre part à concevoir et réaliser des convertisseurs de puissance GaN fonctionnant en HF.
Les études vont consister aux étapes suivantes :
- Caractérisation des composants à partir des paramètres S
- Développement de modèles fonctionnant en HF avec prise en compte des effets du boitier.
- Détermination de schémas équivalents électrothermiques
- Développement de modélisations compactes pour les logiciels Spice et ADS
- Conception par simulation de la connectique du convertisseur
- Réalisation de convertisseurs de puissance GaN
- Mesure des tensions et des courants durant les commutations rapides
- Détermination des pertes en tenant compte de la résistance Ron en dynamique

Compétences

L'ingénieur de recherche recruté doit avoir des compétences dans la caractérisation des composants semi-conducteurs de puissance, avoir une expérience dans la mise en œuvre des moyens expérimentaux, proposer des modèles qui seront utilisés en simulation pour la conception du convertisseur, avoir une expérience dans la conception et la réalisation du circuit imprimé du convertisseur de puissance ainsi que dans la réalisation d'un prototype de convertisseur.
Il doit faire preuve d'autonomie et savoir travailler en collaboration avec les deux équipes impliquées.

Contexte de travail

Le travail proposé entre dans le cadre d'une collaboration ente l'IEMN et le L2EP qui existe depuis de nombreuses années sur l'électronique de puissance GaN
L'IEMN est une Unité Mixte de Recherche associant le CNRS, l'Université de Lille, l'Université Polytechnique Hauts-de-France, Centrale Lille et l'ISEN JUNIA. Ses équipements de conception, fabrication et caractérisation de dispositifs se situent au meilleur niveau européen. L'institut regroupe environ 230 permanents (professeurs, chercheurs, ingénieurs et personnels administratifs) et environ 150 doctorants. Les recherches menées à l'IEMN couvrent un vaste domaine allant de la physique des matériaux et des nanostructures aux systèmes de télécommunications et à l'instrumentation acoustique et micro-ondes. L'équipe PUISSANCE de l'IEMN travaille notamment sur les composants et dispositifs de puissance basés sur le matériau GaN. Elle a une activité en fabrication, caractérisation et modélisation.
Le L2EP est une Unité de Recherche supportée par quatre établissements : Université de Lille, Centrale Lille, Arts et Métiers sciences et technologies et JUNIA. Elle regroupe au cœur d'un même laboratoire toutes les activités de recherche en Génie Electrique. L'équipe Electronique de Puissance du L2EP travaille sur l'évolution des structures de conversion « propres » et « économes ». Elle focalise son activité de recherche sur la montée en fréquence des structures de conversion et leur commande rapprochée. Cette évolution est étroitement liée à celles des technologies des composants semi-conducteurs. L'arrivée des composants à grand gap (SiC, GaN) marque une évolution radicale de la conversion statique. Les recherches menées au sein de l'équipe EP consiste en la caractérisation et la modélisation des semi-conducteurs, des composants magnétiques et de stockage. Ces travaux permettent de mettre en place des modèles de convertisseur afin de les améliorer, tant en termes de performances énergétiques et électriques, qu'en termes de limitation des perturbations électromagnétiques conduites.

On en parle sur Twitter !