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Switch thermique intégré sur puce de puissance (H/F)

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Informations générales

Référence : UMR8029-DENLAB-001
Lieu de travail : CACHAN
Date de publication : mercredi 30 janvier 2019
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 20 février 2019
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2500 et 3200€ bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Bac+5
Expérience souhaitée : Indifférent

Missions

La robustesse des semi-conducteurs grand-gap est un sujet d'intérêt grandissant. La maîtrise de leur mode de défaillance est un sujet moins connu mais d'une importance capitale pour sécuriser de manière intrinsèque les systèmes de puissance critiques dans le domaine de l'embarqué. Sur ce volet, la plupart des semi-conducteurs présente un mode de défaut de type court-circuit entre les électrodes principales (drain – source) ce qui constitue, de manière évidente, une entrave sévère à la sécurisation des applications. Cette proposition de sujet vise à inverser ce mode de défaut de manière indirecte par l'intégration à la puce d'un interrupteur passif auxiliaire à déclenchement thermique unique (i.e. irréversible) et connecté de manière particulière à la puce principale. Deux voies sont envisagées et devront être explorées au cours de ce post-doc :
- une intégration monolithique par voie micro-électronique (salle blanche, ENS Paris Saclay),
- une intégration hybride (plate-forme 3DPHI, Toulouse).

Activités

Le travail attendu du post-doctorant repose sur des propositions d'architectures, des choix de matériaux et de procédés technologiques permettant d'évaluer et de comparer ces deux approches. Le post-doctorant recruté devra aussi s'investir sur la mise en œuvre des structures de test intermédiaires et finales en lien avec un assemblage existant particulier à puce pressée par mousse métallique, inventé au Satie au cours de la thèse de Yoann Pascal (projet ANR HIT TEMS).

Compétences

Micro-électronique et technologies salle-blanche, micro-technologie et physique de matériaux, intégration hybride de puissance, technologies pour l'intégration en électronique de puissance.

Contexte de travail

ENS Paris Saclay – Cachan (jusqu'à juillet 2019 puis Plateau de Saclay) à 2/3 du temps et Toulouse à 1/3 du temps

Contraintes et risques

Mobilité géographique (déplacements et hébergements financés).

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