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Portail > Offres > Offre UMR6252-PIERUT-001 - Post Doctorant en Microscopie électronique et modélisation pour caractérisation du GaN poreux sur SI (H/F)

Post Doctorant en Microscopie électronique et modélisation pour caractérisation du GaN poreux sur SI (H/F)

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Informations générales

Référence : UMR6252-PIERUT-001
Lieu de travail : CAEN
Date de publication : mardi 6 novembre 2018
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 décembre 2018
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2500 à 2700 euro
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : Indifférent

Missions

-Analyse par microscopie électronique en transmission analytique et haute résolution.
-Modélisation des propriétés structurales et électroniques
-encadrement des doctorants et étudiants en masters

Activités

-Préparation des lames de MET par FIB,
-Mener des observations au microscope électronique conventionnelle pour identifier les défauts présents dans les couches.
-Déterminer les mécanismes de formation et d'annihilation des défauts
-Mener des analyses en microscopie haute résolution pour mettre en évidence la structure atomique des défauts.
-Proposer des modèles atomistiques et les confronter aux observations
-Déterminer par modélisations atomistiques la qualité des dispositifs

Compétences

-Solides connaissances en microscopie électronique dans les modes analytique et haute résolution.
-Expertise en modélisation atomistique allant de la dynamique moléculaire aux méthodes ab initio

Contexte de travail

Dans le cadre d'un projet ANR, qui vise à l'optimisation des propriétés d'émission des puits quantiques et diodes électroluminescence déposés par croissance épitaxiale aux organométalliques sur du GaN poreux avec substrat Si. 4 partenaires (Croissance, Process des diodes, Analyses optiques). Notre contribution concerne les études structurales. Il va être mené au CIMAP-ENSICAEN dans l'équipe PM2E sur la thématique des matériaux semiconducteurs III-V où nos activités combinent les observations au Microscope en transmission et les modélisations atomistiques.

Contraintes et risques

Pas de risques identifiés

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