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H/F CDD Post Doc Etude de l'hétéroépitaxie de semiconducteurs III-V et réalisation des dispositifs photonics sur Si


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Informations générales

Référence : UMR5129-THIBAR-001
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : mercredi 12 septembre 2018
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 2 mois
Date d'embauche prévue : 1 novembre 2018
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2530 à 2919 euros brut mensuels
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Développer des solutions innovantes afin de réduire la densité de défauts dans les structures III-As, III-P et III-Sb obtenues par MOCVD sur substrats silicium 300 mm

Activités

- Croissance par MOCVD de matériaux III-V sur bati d'épitaxie 300 mm
- Caractérisation structurale, optique et électronique des matériaux élaborés
- Réalisation de composants de type diodes et diodes lasers et caractérisation associée

Compétences

- MOCVD
- caractérisation physico chimique de matériaux
- dispositifs photoniques intégrés sur silicium
- modélisation dispositifs photoniques
- technologies de micro et nanofabrication

Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 6 équipes dont 4 de recherche et compte environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.
L'intégration de nouvelles fonctions sur un circuit CMOS est un enjeu important pour l'amélioration des performances des circuits intégrés. Les concepts d'architecture 3D ou d'approche en Wafer level packaging font partie de ces nouvelles options développées ces dernières années pour porter les architectures vers de nouveaux matériaux. Parmi ces nouvelles architectures, les composants Optiques III-V co-intégrés avec du Silicium pour l'optique sur wafer-CMOS ouvrent de nouveaux champs de fonctions, d'application et de fabrication.
Le candidat travaillera au LTM dans l'environnement salle blanche du CEA-Leti dans le cadre de l'IRT Nanoelec.

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