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Chercheur en microélectronique (H/F) : Hétéro-épitaxie par MOCVD de semiconducteurs III-As et III-P sur silicium et fabrication de sources de lumière sur silicium

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
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Informations générales

Référence : UMR5129-MARCLO-037
Lieu de travail : GRENOBLE,GRENOBLE
Date de publication : vendredi 9 octobre 2020
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2021
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 2648.79 à 3054.06€ bruts mensuels
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

L'intégration de matériaux semi-conducteurs III-V sur une plateforme technologique Si constitue un défi majeur pour les prochaines années dans le monde de la microélectronique. Ces matériaux, de par leur bande interdite directe, offre la possibilité de réaliser des sources de lumière allant du visible à l'infra-rouge lointain (et ultra-violet pour la famille III-N). Ces composants sont actuellement réalisés en épitaxie sur des substrats de GaAs, d'InP ou de GaSb. Une voie plus exploratoire consiste à faire croitre directement la structure d'intérêt sur un substrat de silicium, ce qui présente, entre autre, comme intérêt de se passer du substrat III-V et de travailler directement sur des substrats Si compatibles avec l'industrie CMOS. Certains éléments de la colonne III et V étant considérés comme critiques (Sb, P, In, Ga notamment), cela permet également de limiter leur consommation.

Dans ce contexte, la mission consiste à réaliser des émetteurs dans le visible et le proche infra-rouge, à partir d'alliages à base d'arsenic et de phosphore. Le(la) candidat(e) s'attachera dans un premier temps à optimiser la croissance par MOCVD de ces matériaux, sur des substrats de silicium 200 et 300 mm. L'objectif principal sera de développer des solutions afin de réduire la densité de défauts structuraux tels que les dislocations. Dans un deuxième temps, le candidat participera à la réalisation et la caractérisation de jonctions PIN.

Activités

- Hétéro-épitaxie par MOCVD d'alliages à base de (In, Ga, Al)(As,P) sur substrats silicium
- Caractérisation des propriétés structurales et optiques des couches élaborées
- Fabrication et caractérisation de structures tests de type diodes
- Analyse des résultats

Compétences

- Connaissances théoriques
o Physique/chimie/sciences des matériaux
o Anglais parlé et écrit
- Savoir-faire opérationnels
o Elaboration et caractérisation de matériaux
o Micro/nano fabrication
o Caractérisation physico-chimiques
- Savoir-être
o Qualité relationnelle (travail en équipe)
o Etre capable de respecter les consignes (travail dans un environnement CEA avec le nécessité de pouvoir appliquer la règlementation du CEA et du CNRS)

Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 6 équipes dont 4 de recherche pour un total d'environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.
La personne recrutée exercera ses fonctions au sein de l'équipe « Nanomatériaux & Intégration », et travaillera en collaboration avec les autres membres de cette équipe ainsi que le personnel du CEA-Leti.

Contraintes et risques

Le travail se fera essentiellement en salle blanche.

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