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Chercheur MOCVD Croissance et caractérisation des nitrures III, y compris le nitrure de bore et ses alliages H/F

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Informations générales

Référence : UMI2958-NADWER-015
Lieu de travail : METZ
Date de publication : lundi 4 novembre 2019
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 décembre 2019
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2643 EUROS BRUT MENSUEL
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Chercheur en Croissance de III-Nitrides par MOVPE
Développer le hBN et ses alliages avec d'autres nitrures III pour l'exploitation dans de nouvelles structures de dispositifs

Activités

Croissance par MOVPE, caractérisation structurale, optique et électrique, fabrication de dispositifs.

Compétences

Expérience dans la croissance et la caractérisation des matériaux III_nitrures

Contexte de travail

III-nitride base alloy de wurtzite AlN, GaN et InN ont permis la commercialisation de diodes électroluminescentes (LED) bleues et vertes et de diodes laser. En outre, les transistors à effet de champ (FET) haute tension (HV) en nitrure de gallium (GaN) 650-950 V deviennent la prochaine norme pour la conversion de puissance. Ce système futuriste de matériaux contient également du nitrure de bore hexagonal (hBN) en couches qui est le moins exploré par rapport aux autres matériaux à III nitrure. De par sa nature même, le système BN est intéressant pour l'exploitation dans l'électronique du graphène en tant que substrat et couche de passivation. Récemment, le BN en couches cultivé par MOCVD a été utilisé comme modèle pour la croissance des structures de dispositifs à nitrure III, ce qui a ajouté de meilleures performances, plus de fonctionnalité et de flexibilité dans le traitement des dispositifs robustes à nitrure III. De plus, son alliage avec d'autres nitrures III liés en 3D peut apporter des propriétés et des fonctionnalités plus intéressantes. Dans le cadre de ce projet, nous proposons d'explorer et de développer le hBN et ses alliages avec d'autres nitrures III pour l'exploitation dans de nouvelles structures de dispositifs. Cela pourrait ouvrir la voie à la réalisation de détecteurs de neutrons à haute efficacité et de dispositifs optoélectroniques UV profonds.
Le candidat devrait travailler sur les différents modules de la croissance épitaxiale du nitrure de bore, la caractérisation et la fabrication de dispositifs à l'UMI GT-CNRS.

Contraintes et risques

RAS

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